1.2 硅衬底LED芯片的制造与封装

大多数GaN基LED均生长在蓝宝石、SiC或Si衬底上。其中，蓝宝石和SiC衬底化学性质稳定且机械性能坚韧，难以被去除，因此经常被加工成水平结构。对于Si衬底GaN基LED，通过湿法刻蚀很容易去除衬底，因此一般将其制备成为垂直结构。

Si衬底GaN基LED垂直结构的芯片制作工艺过程如图1-15所示：（a）Si衬底 GaN基 LED外延结构生长，（b）在 P型 GaN表面制作 P型反射镜， （c）通过金属键合技术将P型GaN表面键合到新的导电衬底上，（d）通过湿法刻蚀将原始的Si衬底去除，暴露出N型GaN,（e）通过湿法刻蚀使N型GaN粗化以增强出光，（f）最后制备n电极[65]，完成芯片加工。

垂直结构LED芯片的制造过程采用了水平结构LED芯片制作中使用的许多通用技术，在此不再赘述。下面将重点介绍垂直结构LED芯片制作工艺过程中使用的一些特殊技术。

图1-15 Si衬底GaN基LED垂直结构的芯片制作工艺过程